比三星上一代產品提高約50%的位密度(bit density)
通過先進的通道孔蝕刻技術（channel hole etching）提高生產效率
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
"我們很高興能推出三星首款第九代V-NAND，這將有機會推動未來應用的飛躍發(fā)展。"三星電子閃存產品與技術主管SungHoi Hur表示。"為了滿足不斷發(fā)展的NAND閃存解決方案需求，三星在這款產品的單元架構和運行方案上不斷突破極限。通過我們最新的V-NAND，三星將在高性能、高密度SSD市場中持續(xù)創(chuàng)新，滿足未來人工智能時代的需求。"
憑借當前三星最小的單元尺寸和最薄的疊層厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了約50%。單元干擾避免和單元壽命延長等新技術特性的應用提高了產品的質量和可靠性，而消除虛通道孔則顯著減少了存儲單元的平面面積。
此外，三星先進的"通道孔蝕刻"技術展示了其在制程方面的卓越能力。該技術通過堆疊模具層來創(chuàng)建電子通路，可在雙層結構中同時鉆孔，達到三星最高的單元層數(shù)，從而最大限度地提高了制造生產率。隨著單元層數(shù)的增加，穿透更多單元的能力變得至關重要，這就對更復雜的蝕刻技術提出了要求。
第九代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口"Toggle 5.1"，可將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，最高可達每秒3.2千兆位（Gbps）。除了這個新接口，三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場的地位。
與上一代產品相比，基于三星在低功耗設計方面取得的進步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。隨著降低能耗和碳排放成為客戶的重要需求，三星的第九代V-NAND預計將成為未來應用的理想解決方案。
三星已于本月開始量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品，并將于今年下半年開始量產四層單元（QLC）第九代V-NAND。
*本文中的產品圖片以及型號、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考，三星電子有可能對上述內容進行改進，具體信息請參照產品實物、產品說明書或三星半導體官網 （https://semiconductor.samsung.com/cn/）。除非經特殊說明，本網站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內部測試結果，涉及的對比均為與三星產品相比較。
