日本橫濱2023年4月24日 /美通社/ -- KEIHIN RAMTECH Co., Ltd.將參加在華盛頓特區(qū)舉行的SVC TechCon 2023。
低損傷RAM陰極
作為對(duì)抗全球變暖擔(dān)憂(yōu)的一部分，不依賴(lài)化石燃料的能源成為此次會(huì)議的主要話(huà)題。此外，人們對(duì)太陽(yáng)能電池也有很高期待。引起特別關(guān)注的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSC)在市場(chǎng)上需求特別高，成為新一代太陽(yáng)能電池。鈣鈦礦是電池中非常精細(xì)的有機(jī)層組成的結(jié)構(gòu)，而使用干燥濺射法的傳統(tǒng)技術(shù)在沉積時(shí)會(huì)損壞透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜，導(dǎo)致有機(jī)層降解，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)所需的設(shè)備性能。對(duì)于透明導(dǎo)電氧化物來(lái)說(shuō)，很難利用濺射沉積法。
RAM FORCE濺射的優(yōu)點(diǎn)
改進(jìn)了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的濺射沉積特性
RAM FORCE結(jié)構(gòu)獨(dú)特，通過(guò)四面對(duì)向靶材和磁場(chǎng)布置實(shí)現(xiàn)了低損傷沉積，在PSC上進(jìn)行TCO沉積，與平面濺射設(shè)備相比，作為損傷指標(biāo)的載體壽命提高了約30%。因此利用其低損傷性實(shí)現(xiàn)了低損傷沉積。通過(guò)利用低損傷的濺射特性，PSC代表電池特性的曲線(xiàn)因子——填充因子(FF)達(dá)到75%以上。它已經(jīng)開(kāi)始用于研發(fā)應(yīng)用和試點(diǎn)線(xiàn)路。
低溫濺射沉積技術(shù)的實(shí)現(xiàn)
RAM FORCE支持低于60℃(ITO: 100 nm)的低溫沉積，因此適用于柔性基材上的濺射沉積。
RAM FORCE的未來(lái)發(fā)展
RAMTECH還專(zhuān)注于其他應(yīng)用。對(duì)于PSC的空穴輸運(yùn)層(HTL)，可以使用NiOx層代替目前使用的Spiro-OMeTAD等有機(jī)層，實(shí)現(xiàn)低損傷濺射沉積和低電阻。此外，通過(guò)改變沉積工藝條件，NiOx也可以作為電子傳遞層(ETL)沉積，使使用相同的材料實(shí)現(xiàn)HTL和ETL沉積成為可能，從而提高性能，降低成本。
https://www.ramtech.jp/en/service/ramforce/
KEIHIN RAMTECH Co.,Ltd.
研發(fā)中心Tetsuya Saruwatari
