杭州2021年9月16日 /美通社/ -- 2021年8月17日，中欣晶圓首根12寸450公斤投料晶棒問世，該晶棒凈重437.7kg，體長2900mm，身長2400mm，良率達到87.6%，相較于之前300公斤投料量時的良率提高了4.6個百分點。9月5日喜報再次傳來，第二根12寸450公斤投料晶棒再次拉制成功，參數指標與第一根晶棒相差無異，公司目前已經具備標準化量產12寸450公斤投料晶棒的技術和工藝水平。在全球范圍內，中欣晶圓是極少數幾家能做到成功拉制12寸450公斤投料晶棒的半導體硅片企業(yè)。
中欣晶圓投料晶棒研發(fā)團隊相關人員表示：此次“超重”晶棒的拉制成功對企業(yè)具有里程碑式的意義，其優(yōu)勢在于：
一、實現工藝提升
在晶棒拉制過程中，投料越多對工藝、單晶爐臺控制精度都會有更高的要求。由于32寸石英坩堝一次性最多能裝340公斤的多晶硅料，所以投料量增加至450公斤必須要采用二次投料技術來實現。自中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒研發(fā)項目成立以來，研發(fā)團隊在前期8寸二次投料基礎之上，根據12寸單晶爐結構設計配套使用二次投料工裝。順利完成所有部件組裝后，研發(fā)小組在空爐情況下進行試用，并最終成功實現連續(xù)2根12寸450公斤投料晶棒的拉制，帶動工藝提升。未來中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒將會形成標準化量產。
二、有效提升產量和良率
大質量晶棒的拉制成功使得中欣晶圓月產量得以提升，與此同時，大質量晶棒長度增加提升了單根晶棒的可利用率，有助于提升12寸硅片的良率和穩(wěn)定性。
三、實現降本增效
大質量晶棒在直徑相同的情況之下，意味著長度的增加，頭料和尾料相應減少，從而能夠提升晶棒的可利用率，實現降低成本增加效益；另一方面投料量增加，使用同樣坩堝及輔材增加產出，節(jié)省坩堝和輔材使用量，降低成本。
中欣晶圓擁有國內先進的半導體硅片生產線，是國內極少數能量產12英寸大硅片的半導體材料企業(yè)，目前具有6英寸及以下40萬片/月、8英寸45萬片/月、12英寸10萬片/月的產能，將在2022年12英寸擁有20萬片/月生產能力，產品為拋光片(重摻/輕摻/Cop-free)和外延片，主要用于邏輯芯片（Logic）、閃存芯片（3D NAND & Nor Flash）、動態(tài)隨機存儲芯片（DRAM）、圖像傳感器（CIS）、顯示驅動芯片（Display Driver IC）等。中欣晶圓苦心專研技術，已在12英寸重摻砷低電阻率2.3—3毫歐、重摻紅磷低電阻率1.3毫歐上取得突破，達到國內外先進水平，并開始向國內外客戶供應正片。
在國產替代的大背景下，中欣晶圓堅持面向國家半導體行業(yè)的重大戰(zhàn)略需求，以發(fā)展中國半導體材料為己任，在技術上勇于突破，為大硅片國產化做出應有的貢獻。
